在HBM领域，SK Hynix在韩国龙仁市的新Fab厂和业务设施建设，部分目的是为了应对面向AI的半导体存储器需求，这包括HBM产品。该项目的投资约为9.4万亿韩元，预计于2027年5月竣工。 SK Hynix也在韩国忠清北道的清州建造M15X晶圆厂，作为新的DRAM存储芯片大型生产基地。

根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第一季企业级固态硬盘（Enterprise SSD）市场受到多重因素影响，整体营收出现下滑。 库存去化与AI产品挑战 成为该季度主要困扰。由于北美地区长期累积的库存尚未消化，主要客户纷纷缩减订单规模 ...

这是 SK hynix 首次披露其 3D DRAM 开发的具体数据和运行特性。 业内专家认为，这篇论文是一个重要的里程碑，表明SK hynix即将获得下一代DRAM的核心技术。 SK海力士3D DRAM器件的结构设计。（图片由VLSI 2024 SK海力士演示材料提供） ...

韩国警方周二(5月28日)表示，韩国芯片巨头SK海力士(SK Hynix) 一名中国籍女性前员工A某涉嫌向中国华为公司泄露有关降低芯片不良率的核心技术，今年 ...

直到2017年，SK Hynix才正式将旗下晶圆代工业务正式分拆，成立了独立子公司SK Hynix System IC。其目的是，进一步强化晶圆代工业务的竞争力，同时SK ...

台积电、南韩三星电子与SK海力士（SK hynix）目前享有无限制豁免，能在不必每次都要申请许可的情况下，将美国芯片制造设备运至旗下位于中国大陆的工厂。

据SK海力士介绍，其此次展示的16层堆叠HBM4具有高达 48 GB 的容量、2.0 TB/s 带宽和额定 8.0 Gbps 的 I/O 速度，其Logic Die则是 ... SK Hynix展示全球首款16层 ...

相关阅读：《继Intel后，SK Hynix也成为“牺牲品”？》 对此，韩媒BusinessKorea 23日报道指出，SK Hynix的CEO李锡熙22日在一场活动中就关于引进EUV设备计划进展表示：“我们还有足够的时间，所以我们将通过与美国政府的合作，把设备引进到该工厂。” ...

SK hynix本周公布了第二季度的财务报告，并对未来几个季度的计划进行了展望。值得注意的是，该公司今年的计划是发布SK hynix品牌的60 TB固态硬盘 ...

SK Hynix 的 12 层 HBM3E 需求激增，促使该公司迅速提高产量和良品率。SK Hynix 一直走在供应 HBM 的前沿，以满足行业需求。 在市场竞争方面，SK 海力士 ...

因为仅有144层，英特尔几乎可以肯定现在是层数的落后者。与9X层的QLC相比，英特尔具有更好的性能和密度——但是SK hynix和Kioxia描述的新型TLC的QLC版本应具有可比的密度。英特尔已经放弃使用96L QLC的方式来描述块大小，但144层NAND的48MB块尺寸看起来也很大。

sk海力士重庆厂分两期建设，一期工程将专注测试（2014年下半年正式投产）、二期工程则专注封装（2019年投产），两期工程全部达产后，年生产芯片有望接近20亿只，年产量将占到整个sk海力士闪存产品的40%以上，成为其全球海外最大的封装测试基地。