16．30V~200V先进中低压功率MOSFET–SGT系列产品 【所属领域】核心电子元器件 【中央企业名称】华润（集团）有限公司 【技术产品简介】SGT MOS器件是新一代MOS型功率器件，广泛应用于移动通讯、电动工具、电动车辆、电源和电池控制、工业控制等领域，具有良好的应用前景。 SGT MOS器件是目前理想的 ...

作为新兴的半导 体，胶体量子点（QD）固态膜已经在电荷传输的基础研究和光电子的应用中得到了广泛探索。

SGT-MOSFET 与 U-MOSFET 器件结构不同之处在其深沟槽的栅结构上。 U-MOSFET 沟槽结构仅有一个多晶硅的控制栅电极，如图 1 所示；SGT-MOSFET 的沟槽结构由两个多晶硅部分组成：上半部分是控制栅电极，下半部分是屏蔽电极，如图 2 所示。 屏蔽电极位于栅电极下方。

哈电国际与SARGENT & LUNDY, L.L.C.结成战略合作伙伴，将对哈电国际的市场开发带来积极深远的影响，为促进哈电国际品牌走入国际高端电力市场，与更多高端的、有实力的国际化电力行业公司进行项目合作、项目开发开辟了一条“绿色通道”。